芯片产品

特性：
最大导通电阻（Rₙₛₒₙ）：在 V₍ₛₛ₎=10V、Iₙ=25A 时为 1.05mΩ
符合汽车级标准的 N 沟道 MOSFET，采用增强型 LFPAK56E 封装
该产品完全按照 AEC-Q101 要求进行设计和认证，具有高性能和高耐久性
优点：
这款 N 沟道 MOSFET 专为提升整体效率而设计，在低栅极电荷、低导通电阻、快速开关速度方面进行了优化。
应用:
12V 汽车系统
电机、灯具和电磁阀控制
启停微混合动力应用
变速箱控制
超高性能电源开关